连续测量射频导纳物位变送器

连续测量射频导纳物位变送器根据电子单元电路转换及探测电极的不同，可分别适用于导电液体、液/液界面、绝缘液体或固体颗粒。
主要技术参数
工作电源：11.5～50VDC
输入电容范围：JB2 00，37.5～40000Pf
              JB2 30，   6～40000Pf
输出范围：4～20mA
线    性：0.5%
负载电阻：（Vs-11.5V）/0.02（其*大值为625Ω24V DC电源）
          其中Vs为供电电源电压
温度影响：满量程±0.25%/17℃或±0.1Pf*大者
供电电压影响：*大为0.2%
负载电阻影响：0.2%（24VDC 电源时）
量程改变响应：0.5～30S（终值90%，视延时时间决定）
输出取向^※：现场可调（出厂时设为“正作用”）
           ※指物位升降变化与输出电流变化方向，同增同减为“正作用”，增减相反为“反作用”。）
环境温度：-40～+65℃24VDC时
标定调节：粗量程6档步进，粗调零开关组合16档、连续细调量程、连续细调零点、延时连续调节
允许*低电阻：JB2 00档位 允许导电液电极处与地间R*低为600Ω
              JB2 30档位 允许导电液电极处与地间R*低为100KΩ
              但此时将会造成5%误差
零点与满程之间影响：*大1%
防爆性能：电子电路为本安设计，符合ExidⅡCT6
外壳防爆：ExidⅡCT6
防护等级：IP65
安装方式：顶装
连接方式：3/4″NPT，3/4″管螺纹，1-1/4管螺纹，法兰可选
接液材料：316不锈钢、陶瓷、1Cr18Ni9Ti、四氟乙稀、高温塑